III Международная студенческая научная конференция Студенческий научный форум - 2011

В настоящее время пристальное внимание исследователей привлекает создание новых нанокомпозитных материалов с заранее предсказанными свойствами, которые можно использовать в фотонике и оптоэлектронике. В решении данной задачи может помочь  исследование и применение разбавленных магнитных полупроводников. Это полупроводники, в немагнитной решетке которых растворяется небольшое количество магнитных ионов. Обменное взаимодействие между зонными электронами и локализованными на примесных ионах электронами приводит к ряду специфических эффектов и высокой чувствительности разбавленных магнитных полупроводников.

В работе рассматривается периодическая структура, содержащая чередующиеся слои магнитных полупроводников и диэлектриков. Проведен расчет коэффициентов отражения и пропускания от данной структуры. В качестве разбавленного магнитного полупроводника рассматривается  оксид  цинка ZnO с примесью Sn, легированный 3 % Mn [1]. Магнитная восприимчивость магнитного полупроводника аппроксимирована функцией вида m=m(H), где Н - напряженность внешнего магнитного поля. Для расчета коэффициента отражения использовался матричный метод.

В результате численных расчетов исследована зависимость коэффициентов отражения и пропускания от величины внешнего магнитного поля и температуры. Показана возможность изменения электродинамических характеристик рассматриваемой структуры в зависимости от величины магнитного поля. Рассмотренные структуры могут применяться в оптоэлектронике для создания переключателей различного типа, управляемых внешним магнитным полем.